- imec（比利时微电子研究中心）成为全球首家采用高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV） 工艺制造量子点量子比特的机构。一台具备实用价值的量子计算机，需要数百万个互联互通的量子比特，同时满足高可靠性与精准控制的要求。在目前各类研发中的量子计算技术路线里，硅基量子点自旋量子比特被认为最适合实现产业化规模化量产，也常被业内称作 “产业级量子比特”。其制造流程与主流 CMOS 芯片工艺高度兼容。硅基量子点自旋量子比特会将单个电子束缚在硅纳米结构（栅极层）内部，并利用被捕获电子的自旋态来存储量子信息。为降低
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imec
量子点
量子比特
high-NA
- 英特尔CEO陈立武在受访时透露14A节点计划于2028年启动风险试产，2029年实现规模化量产。据外媒报道，英特尔CEO陈立武在受访时，公布了14A工艺的最新路线图，并透露该节点计划于2028年启动风险试产，2029年实现规模化量产。 这一计划较原定2027年下半年试产、2028年量产的安排有所推迟。作为第二代RibbonFET环绕栅极晶体管技术的载体，14A将首次采用ASML价值3.8亿美元的High-NA EUV光刻设备，配合全新背部供电架构PowerDirect，预计在能效比和晶体管密度上
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英特尔
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14A
18A
- 据路透社消息，全球顶尖芯片设备制造商阿斯麦（ASML）首席执行官克里斯托夫·富凯于当地时间周二在比利时微电子研究中心（imec）举办的行业会议上公开表示，公司预计未来数月内，将迎来首批采用新款高数值孔径（High-NA）EUV光刻机生产的芯片产品，覆盖逻辑芯片与存储芯片两大核心领域。富凯在会议中明确指出，High-NA EUV光刻机作为面向2nm以下（1.8nm/1.4nm及更先进节点）制程的核心图形化设备，核心价值在于降低顶尖芯片电路光刻成型成本，同时适配AI芯片、HBM/DRAM等高端存储芯片的制造需
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阿斯麦
光刻机
芯片
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- 台积电并没有急着把High-NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻技术放进2029年前的量产节点。作为对比，英特尔则更早导入High-NA设备。两家公司真正的差异，不只是设备选择，而是量产节奏、成本和良率风险的取舍。
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台积电
英特尔
High-NA
EUV
先进制程
3nm
三星
- 台积电在2026年北美技术论坛指出，2029年底没有计划导入艾司摩尔（ASML）最先进的微影设备，此消息冲击ASML股价跌逾1%，台积电ADR大幅上涨逾5%，显示投资人对台积电以较低成本推进技术的策略给予正面评价。根据《路透》报导，台积电并未规划在2029年前采用ASML最新一代高数值孔径极紫外光微影设备（High-NA EUV）投入芯片量产，主因在于该设备成本极为高昂。台积电暂缓导入新设备 成本高昂是关键台积电副共同营运长张晓强直言，ASML新世代High-NA EUV设备价格「非常、非常昂贵」，该设备
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ASML
EUV
台积电
- 这次意外大裁员其实并不意外，很有可能源于ASML对未来半导体产业发展失衡状态的前瞻而提前进行的战略调整，面对未来几年可能遭遇无法预知的狂风巨浪，ASML要抢先一步提升自身陀螺仪的鲁棒性。
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ASML
裁员
半导体
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- 随着AI投资狂潮席卷科技行业，真正限制算力扩张的环节在哪里？半导体研究机构SemiAnalysis创始人给出的答案是：瓶颈一直在变。SemiAnalysis是一家近年来在科技和投资圈迅速走红的半导体研究机构，其研究广泛被AI公司、云计算厂商以及对冲基金使用。近日，在一次播客访谈中，SemiAnalysis创始人Dylan Patel系统解释了AI算力扩张背后的供应链逻辑。他指出，过去几年AI算力的限制因素不断变化，就像打地鼠一样，一个瓶颈被解决，新的瓶颈就会出现。算力扩张的瓶颈不断变化Dylan Pate
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EUV
光刻机
算力
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- 荷兰芯片设备制造商阿斯麦（ASML）希望在 4 月 1 日前获得工会批准。在这家荷兰芯片设备巨头宣布计划裁减 1700 个管理岗位七周后，其员工仍不清楚自己是否会丢掉工作。此次裁员发生在阿斯麦创下 327 亿欧元年度营收纪录的背景下。裁员目标为阿斯麦技术与 IT 部门的管理岗位，其中荷兰 1400 个、美国 300 个，约占公司全球员工总数的 4%。阿斯麦一名发言人向荷兰广播公司 Omroep Brabant 表示，长期的不确定性已引发内部不安。“员工们完全不知道自己处境如何。他们都在问‘这对我意味着什么
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阿斯麦
ASML
EUV
- 比利时微电子研究中心（imec）证实，在极紫外光刻（EUV）的曝光后烘烤（PEB）环节，将氧浓度提升至大气水平以上，可显著提高金属氧化物光刻胶（MOR）的感光速度。感光速度加快意味着光刻胶能以更低的 EUV 曝光剂量达到目标图形尺寸，这将直接提升 EUV 光刻机的产能，并降低曝光工序成本。此前，行业并未将曝光后烘烤腔室的气体成分作为 EUV 光刻的重要优化方向，因此该研究成果具有重要意义，但其产业化前景仍有待观察。imec 的科研人员发现，在 EUV 曝光后烘烤环节，将氧浓度从空气环境中的 21% 提升至
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IMEC
曝光后烘烤
EUV
先进芯片产能
光刻胶
- 比利时微电子研究中心（imec）证实，在极紫外光刻（EUV）曝光后的关键步骤中，对气体成分进行精准控制，可最大限度降低所需曝光剂量，进而显著提升晶圆产能。具体而言，当极紫外光刻曝光后烘烤（post-exposure bake）步骤在高氧浓度环境下进行时，金属氧化物光刻胶（MORs）的剂量响应性能得到了显著改善。金属氧化物光刻胶的技术优势金属氧化物光刻胶（MORs）已成为先进极紫外光刻应用的核心候选材料，相较于化学放大光刻胶（CARs），它具备更高的分辨率、更低的线边缘粗糙度，以及更优异的 “剂量 - 尺寸
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气体控制技术
极紫外光刻
EUV
晶圆产能
imec
- 2 月 23 日消息，据路透社今日报道，阿斯麦（ASML）的研究人员表示，他们已找到提升关键芯片制造设备光源功率的方法，到 2030 年可将芯片产量提高多达 50%。阿斯麦极紫外（EUV）光源首席技术官迈克尔・珀维斯（Michael Purvis）在接受采访时表示：“这不是花拳绣腿，也不是那种只能在极短时间内演示可行的东西，这是一个能在客户实际生产环境的所有相同要求下，稳定输出 1000 瓦功率的系统。”报道称，随着周一公布的这一技术进步，阿斯麦旨在通过改进光刻机中技术难度最高的部分，进一步拉开与所有潜在
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阿斯麦
ASML
EUV
光源技术
芯片
产能
- 阿斯麦（ASML）宣布将极紫外光刻（EUV）设备的核心光源功率提升至1000 瓦，这一技术突破将直接推动先进制程芯片的生产良率提升，同时有效降低单颗芯片的制造成本，成为先进半导体制造领域的又一重要技术进展。在极紫外光刻技术中，光源功率是决定光刻机生产效率与芯片良率的核心指标之一。更高的光源功率能够让光刻机在晶圆曝光过程中，实现更快的光刻速度与更稳定的图案转移效果：一方面，更高的功率可缩短单晶圆的曝光时间，提升光刻机的单位时间产能；另一方面，稳定的高功率光源能减少光刻过程中的图案偏差、线宽不均匀等问题，大幅
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阿斯麦
极紫外光刻机
光源功率
芯片良率
ASML
EUV
- 据《日经亚洲》报道，日本研究机构Global Net数据显示，2025年全球芯片设备厂商前20强中有3家中国企业，较2022年美国出口限制前新增2家。这三家公司分别是北方华创、中微公司和上海微电子。值得注意的是，若将范围扩大至排名前30名的企业，还将新增两家中国企业：盛美上海和华海清科。北方华创、中微、上海微、盛美上海、华海清科上榜TOP30这一变化既展现了国产设备凸显群体崛起态势，也印证了美国出口管制未达遏制目的，反而倒逼中国半导体供应链自主化加速，激发了本土产业韧性。北方华创具体排名中，北方华创的排名
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半导体设备
ASML
北方华创
中微公司
上海微电子
DUV
EUV
- 全球最大的先进芯片荷兰制造商ASML在公布其销售额连续第十三年实现增长后，CEO克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）在声明中表示，计划裁减约1700个工作岗位，作为其技术和IT运营重组的一部分。此次裁员人员主要涉及管理层，人数约占员工总数的4%，大部分裁员将在荷兰进行，美国也有部分职位被裁减。ASML表示，一些领导职位可能不再需要，同时将创建新的工程职位以支持正在进行和未来的项目。“虽然这将使一些受影响的同事能够转移到新的岗位，但我们必须承认，有些人将因此离开阿斯麦公司”。此举旨在加强
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ASML
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EUV
- 三星电子将首次在美国泰勒晶圆厂推出“极紫外（EUV）薄膜”，这是一种提升先进半导体工艺生产力的关键组件。此前尚不清楚是否会引入，但通过订购关键设备几乎确认了申请。根据22日的行业报道，三星电子已在美国德克萨斯州泰勒工厂订购极紫外涂层设备。FST将收到价值250亿韩元的极紫外膜剥离与附着设备及检验设备订单。极紫外膜是安装在光罩上的超薄保护元件，用于曝光过程。半导体将光体现在带有预先绘制电路的光罩上，并被嵌入晶圆上。通过施加极紫外膜，可以防止细颗粒和污染物粘附光罩表面，从而减轻产率劣化。为了在暴露设备中使用极
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三星
紫外层薄膜
美国泰勒工厂
EUV
- 随着计算技术的进步，越来越多的先进芯片应运而生。最新一代 3 纳米和 2 纳米制程芯片的尺寸极小，传统光源波长已无法在如此精细的尺度上实现可靠的图形光刻。这一挑战并非新题 —— 半导体行业长期以来一直使用深紫外光刻（DUV）技术在硅片上进行光刻加工。但要实现最先进芯片设计的纳米级精度，就需要波长更短的光源。这种光源及对应的光刻技术被称为极紫外光刻（EUV）。中国 EUV 原型机提前问世图注：更短、更精准、更纤薄：技术的巨大飞跃，蔡司（ZEISS）数据显示，EUV 技术制造的结构精度达 13.5 纳米，比人
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EUV
半导体
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蔡司
- 中国朝向国产紫外真空光刻能力的漫长进程似乎正在缩小，近期发展显示进展速度超乎预期。据路透社报道，消息人士称中国已组装了一台使用旧ASML系统组件的EUV原型机。正如报道所示，消息人士称中国政府目标是在2028年前生产使用该原型机的实用芯片，尽管2030年被视为更现实的目标。原型机的存在表明，中国距离半导体自给自足可能比此前预期的更近数年。报道援引消息人士称，原型机于2025年初完成，目前正在进行测试。报告补充说，虽然该机器已运行并具备极紫外光的能力，但尚未生产出可工作的芯片。据报道，前ASML工程师参与了
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光刻
- 全球光刻机巨头阿斯麦（ASML）首席执行官克里克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）在专访时，谈到了被禁止向中国出口所有EUV设备及最先进的深紫外（DUV）光刻设备，就当前西方对华光刻机出口限制政策，抛出了一番充满矛盾的“技术制衡论”，引发行业广泛关注。眼下，阿斯麦正面临严苛的出口管制约束：被禁止向中国出口所有极紫外（EUV）光刻设备，以及技术最先进的深紫外（DUV）光刻设备。他重申其观点，认为“应向中国适度输出技术以防其自主研发形成竞争力”；同时，在他看来在对华技术出口限制问题上，西方
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ASML
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EUV
- 近年来，首次直接解决了EUV光刻中二次电子噪声的统计及其对缺陷概率的影响[1]。在本文中，我们将考虑一些更新的 EUV 抗蚀剂模糊模型，包括化学放大 （CAR） 和金属氧化物 （MOR） 类型。首先，让我们回顾一下推导 EUV 随机缺陷概率的过程，同时考虑二次电子噪声。光子吸收的特征是经典的分裂或变薄泊松分布[2]。假设每个吸收的EUV光子释放的电子数遵循整数的均匀分布作为概率质量函数[1]。当考虑电子散射时，由此产生的有效“模糊”将嘈杂的光子吸收曲线替换为以模糊比例参数为特征的平滑曲线。然而，这只会更新
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电子噪声
抗蚀剂
模糊模型
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缺陷密度
- 目前，生产尖端半导体必不可少的EUV（极紫外）光刻设备由荷兰ASML独家供应，而台积电2nm工艺就是利用现有的EUV设备实现晶圆的大规模量产，并保持较高的良率。但随着推进到更先进的次2nm节点 —— 即1.4nm与1nm（分别代号A14与A10）—— 制造工艺将面临更多技术瓶颈。理论上，这些问题可以通过采购ASML的最先进High-NA EUV设备来解决，但最新消息称台积电选择的方向并非购买新设备，而是转向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻机？从早期的深紫外
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台积电
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EUV
2nm
- 荷兰半导体设备巨头、芯片制造光刻机的主要供应商 ASML Holding NV 于 2025 年 10 月 15 日发布了 2025 年第三季度财报。结果显示，在人工智能需求的推动下，订单量强劲，但也对 2026 年对中国的销售额将大幅下降发出了严厉警告。虽然该公司试图向投资者保证整体增长将保持稳定，但这一消息凸显了芯片行业不断升级的地缘政治紧张局势。以下是主要亮点的细分。财务业绩ASML 公布了稳健的第三季度业绩，尽管净利润持平，但预订量超出预期：净销售额：77 亿欧元，同比增长 8%，但略低于分析师预
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ASML
EUV
芯片工具
- 据《韩国经济日报》报道，据报道，三星将于今年晚些时候收到其首款高数值孔径 （high-NA） EUV 扫描仪——Twinscan EXE：5200B，随后将于 2026 年上半年推出第二台扫描仪。报告补充说，虽然该公司已经在其华城市园区运营了一种研究用途的高 NA EUV 工具，但新系统将标志着其首次旨在大规模生产的收购。报告指出，竞争对手台积电目前正在测试该系统的研发版本，但尚未将其部署用于商业规模制造。报道援引消息人士的话称，SK海力士在9月份证实已经订购了生产级高NA EUV系统。据报道援引消息人士
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高数值孔值
EUV
- 荷兰半导体设备制造商ASML第三季订单表现优于分析师预期，并表示明年销售额将至少与2025年持平，主要受惠于全球企业大规模投资AI领域、对芯片制造设备的需求。同时，ASML也警告说，明年来自中国的需求可能大幅下滑。ASML发布了2025年第三季度财报，财报显示第三季度实现净销售额75亿欧元，净利润21亿欧元，毛利率为51.6%，整体表现符合此前预期。更值得关注的是，本季度新增订单金额达到54亿欧元，其中EUV（极紫外光刻）订单高达36亿欧元，占比超过三分之二，充分反映出全球半导体制造商对先进制程光刻设备的
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ASML
财报
EUV
- 据Tom's hardware报道，台积电（TSMC）作为全球最大的先进制程晶圆代工厂，不仅拥有着全球最先进的制程工艺，也拥有着数量最多的ASML极紫外光（EUV）光刻机。2019年首次于华为麒麟9000处理器导入EUV后，台积电持续控制着全球超过42%~56%的EUV光刻机装机量，经过多年的积累，台积电目前已经累积了约200多台EUV光刻机，在2024~2025年还新增了60多台，以支撑先进制程扩产需要。自2019年以来，台积电通过自身的系统级优化及自研EUV光罩保护膜（Pellicle，保护光
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台积电
EUV
晶圆
Pellicle
光罩保护膜
- 根据 The Elec 报道，援引行业消息人士称，三星首次外包光掩模——芯片制造中至关重要的组件。报道称，三星据说正在外包低端光掩模用于内存芯片，这表明其策略是将资源转向 ArF 和 EUV 掩模生产。本月早些时候，三星据报道向美国光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 订购了用于内存生产的 i-line 和 KrF 光掩模。报道补充说，日本的 Tekscend Photomask 也在评估中，预计很快将收到订单。报道指出，由于这些是低端芯片的掩模，三星认为它们泄露技术的
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掩膜
三星
- 半导体行业正在重新评估其制造最先进芯片的长期路线图。高数字光圈(High-NA)光刻技术,曾被视为2 nm以下节点小型化的明确路径,现在正在与其他选项进行权衡。
尽管在光学领域取得了里程碑式的成就,但高NA所需的重大挑战和巨大的资本投资刺激了互补模式技术的平行发展。事实上,这些技术作为竞争和实用的替代品正在获得牵引力。这不是对光学进步的拒绝。这是一个多方面工具包的务实拥抱,其中材料科学,物理学和创新过程的进步融合在一起,以克服强大的障碍。High-N
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High-NA
2纳米
- 台积电正在重新利用其位于新竹科学园的旧的、已折旧的 8 英寸 Fab 3 来生产极紫外薄膜，并将这种生产引入内部。EUV 薄膜是一种薄而高度透明的薄膜，拉伸在光掩模上方，以防止颗粒在 EUV 暴露期间接触掩模。它旨在承受强烈的 EUV 辐射和热应力，同时最大限度地减少光吸收和波前失真。生产薄膜是一种缩短更换周期的方法，并对组件施加更多控制，在 EUV 环境中，该组件必须保护光掩模免受颗粒影响，同时应对极端暴露条件。与旧的 DUV 工艺不同，EUV 系统使用 400 W 光源和局部加热运行，掩模温度接近 1
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旧晶圆厂
EUV
薄膜生产
- ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配备 0.55 NA 镜头，实现 8 纳米分辨率——而当前 Low-NA EUV 工具的分辨率仅为 13 纳米——使得单次曝光下晶体管尺寸缩小 1.7 倍，晶体管密度提高 2.9 倍。虽然 Low-NA 工具可以通过昂贵的多重图形匹配来达到这一效果，但 High-NA EUV 简化了光刻步骤，尽管这带来了新的技术挑战。鉴于 High-NA EUV 机器的能力，芯片制造商可以避免双重或三重 EUV 图形匹配，因此 NXE:5200B 将首先用于快速推进下一
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ASML
海力士
- 据SK海力士官方消息，2025年9月3日，该公司在韩国利川M16工厂成功引进了业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV），并举行了设备入厂庆祝仪式。此次引进的设备为荷兰ASML公司开发的TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量产型High-NA EUV设备。相比现有EUV设备（NA 0.33），其光学性能（NA 0.55）提升了40%，能够绘制精密度高达1.7倍的电路图案，同时将芯片集成度提升2.9倍。这一技术突破将显著推动半导体制造向更微细化和高集成度方向发展。SK海力士自
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SK海力士
High-NA
EUV设备
- 根据韩国媒体 outlet ETNews 的报道，美国和日本正积极通过政府主导的举措将极紫外(EUV)光刻机引入公共研究机构。相比之下，韩国政府在这一领域的推动工作落后于美国和日本，报道暗示。美国 – 国家半导体技术中心加速 EUV 技术采用报告援引行业消息人士称，美国国家半导体技术中心（NSTC）已在纽约的阿尔巴尼纳米技术园区完成了 EUV 光刻设备的安装，并计划从 2025 年 7 月开始为企业提供服务。报告还指出，据称 NSTC 计划在 2026 年推出高 NA EUV 设备——
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